Development of Semiconductor Preamplifier with Radiation Hardness

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

azerbaijans political development after the collapse of soviet union and implication on relation with the islamic republic of iran

در فصل اول این پایاین نامه در خصوص تاریخ کشور اذربایجان قبل و بعد از جدایی این کشور از ایران مورد بررسی قرار گرفته است ودر فصل دوم تحولات سیاسی این کشور بعد از 1991 و در واقع بعد از فروپاشی شوروی و دولتهایی که روی کار امدند در از جمله دولت ابولفضل ایلچی بیگ،دولت حیدر علی اف وبعد از او پسرش الهام علی اف و نگرش هرکدام از این دولتها به سیاسیت خارجی اذربایجان مورد اشاره قرار گرفته است.در ودر فصل سو...

Radiation hardness of SiPM in the PANDA radiation environment

Silicon photomultipliers (SiPM) consist of a pixelized array of micrometric avalanche photodiodes (APD) connected in parallel. Their small size and low voltage operation allows the construction of very compact detectors. The price to pay is the megahertz dark count rate at room temperature. These events are generated by thermal electrons within the pixel and are undistinguishable from real sign...

متن کامل

Radiation hardness of the PIBETA detector components

We have examined long term changes in signal amplitude gain, energy resolution and detection efficiency for the active components of the PIBETA detector system. Beam defining plastic scintillation counters were operated in a ∼ 1 MHz stopped π + beam for a period of 297 days, accumulating radiation doses of up to 2 · 10 6 rad. Detectors in the charged particle tracking system—a pair of cylindric...

متن کامل

Radiation hardness of amorphous silicon particle sensors

Radiation tests of 32 lm thick hydrogenated amorphous silicon n–i–p diodes have been performed using a high-energy 24 GeV proton beam up to fluences of 2 · 10 protons/cm. The results are compared to irradiation of similar 1 lm and 32 lm thick n–i–p diodes using a proton beam of 405 keV at a fluence of 3 · 10 protons/cm. All samples exhibited a drop of the photoconductivity and an increase in th...

متن کامل

Radiation Hardness of Flash and Nanoparticle Memories

Recently, the research for new non-volatile memory in the semiconductor industry has become intense, because current flash memory technologies based on the floating-gate (FG) concept are expected to be difficult to scale down for high density, high performance devices (Lankhorst et al., 2005 ; Ouyang et al., 2004 ; Vanheusden et al., 1997). Therefore, a type of non-volatile memory using nanopar...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: RADIOISOTOPES

سال: 2021

ISSN: 0033-8303,1884-4111

DOI: 10.3769/radioisotopes.70.219